이미터 접지 트랜지스터의 특성 實驗(실험)
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작성일 23-01-14 11:56
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이미터 접지 트랜지스터의 특성 實驗(실험)
설명
목적
이미터 접지 transistor(트랜지스터) （Common Emitter Transistor）의 동작 원리를 배우고 중요한 전기적 特性를 관찰하고 측정(measurement)하여 해석한다．
서론
쌍극성（bipolar) transistor(트랜지스터) 는 이미터（emitter), 베이스（base), 콜렉터（collector)의 세 개의 영역으로 구성되어 있으며 두 개의 접합면을 가지고 있고 NPN와 PNP의 ２종류가 있다． 베이스 내의 케리어（carrier)의 흐름을 매개로 이미터 전류의 變化(변화)가 콜렉터 전류의 變化(변화)로 나타나는 전류 제어형 소자이다．
이미터 접지는 전압， 전류 및 전력의 증폭율이 커서 베이스나 콜렉터 접지보다 더 많이 사용된다． 그러므로 이미터 접지에 대한 기본 전기적 特性을 이해하는 것은 매우 중요하다． 이 experiment(실험)에서 베이스， 콜렉터 전류 관계와 콜렉터 대 …(To be continued )
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